前沿导读

台积电前研发处长杨光磊在访谈中指出，梁孟松是我见过在芯片制程技术上世界第一流高手中的第一名。如果有华山论剑来进行比拼的话，那么梁孟松可以在技术上面一对一打赢所有人。

在梁孟松加入中芯国际之后，中国大陆地区的自主芯片技术从28nm直接发展到14nm，并且启动了7nm及更先进工艺的技术研发。如果没有梁孟松的加入，那么中国本土的芯片制程技术还会停留在28nm。

本土技术

说起梁孟松，他的个人经历堪称辉煌。

自从1992年加入台积电之后，从工程师一路上升到了资深研发处长，并且为台积电创下了500项左右的技术专利。在台积电与IBM制造技术的竞争当中，梁孟松带队率先完成了130nm的制程技术开发，领先IBM。

梁孟松的导师是胡正明教授，胡正明教授是Fin FET（鳍式场效应晶体管）结构的发明人。

在芯片制造技术发展到28nm/22nm节点后，由于晶体管平面结构的限制，导致无法缩短晶体管尺寸，无法堆叠更高的密度，也无法实现更强的性能。

于是胡正明教授开发了Fin FET晶体管结构，将晶体管的栅极立起来形成三维结构，这样既可以得到更优秀的电流控制，也可以缩短晶体管的尺寸体积。

这个技术的开创极具重要性，不但顺利将28nm的芯片制造技术下探到14nm，甚至更先进的7nm、5nm、3nm也都是采用了Fin FET晶体管技术。

梁孟松在2009年前后从台积电离职，加入了三星集团。他之所以离开了任职十多年的台积电，是因为他在2009年台积电提拔技术领导层的时候，本应该属于他的位置被另一个副总所代替，这让梁孟松感觉到自己不被重视，自己的付出和回报不成正比，所以选择离职。

在加入三星后，他主张三星团队别在20nm这种过渡节点上纠缠，而是直接开发14nm的Fin FET技术，结果三星14nm早于台积电16nm形成手机客户导入优势，拿到苹果、高通等大客户的芯片订单。

台积电因此起诉他涉营业秘密，后续判决限制其在一定期限内不为三星提供相关服务，梁孟松离开了三星。而这段经历，也让他在台积电的舆论里被贴上“叛将”的标签。

2017年，梁孟松受邀来到中国大陆，加入中芯国际任CEO。

中芯国际可以算是中国本土制程技术最先进的企业，当时中芯被卡在了28nm节点，没有Fin FET技术、没有太过于先进的工艺水平，和台积电、三星的代差肉眼可见。

梁孟松来之后做的第一件事不是盲目在7nm等先进节点上追逐台积电的脚步，而是先把28nm这个成熟制程工艺稳定生产，然后再把14nm Fin FET技术当成突破点。

按中芯后续披露与梁孟松本人辞呈口径，在2017年入职后，中芯28nm的工艺良率提高，并且成功掌握Fin FET技术，从28nm顺利向14nm过渡。并且在2019年，中芯的14nm从早期低良率样片逐步走向可规模量产，同年第四季度开始贡献量产收入。

2020年，正赶上美国对华为实施芯片断供等制裁限制，于是中芯国际的14nm生产线开始与华为的麒麟芯片产生联系。

此前华为的中低端麒麟芯片主要交给台积电南京工厂制造，先进芯片则是完全交付给中国台湾的台积电总部制造。在中芯14nm稳定生产后，直接从台积电南京工厂手中夺下了麒麟中低端芯片的代工订单，海思麒麟与中芯国际形成了本土设计+本土制造的产业格局。

后续的麒麟710A，就是双方合作的第一款产品。

重要性

对于梁孟松这种在技术上面的大牛人物来说，他的重要性不仅仅只限于此前开发的技术专利，更重要的则是他在芯片制造领域摸爬滚打几十年所积累的技术经验。

杨光磊也对此表示称，梁孟松甚至不需要上手，他只需要为技术团队提供一定的经验看法和技术分析，就可以让技术团队少走许多弯路。

从28nm到14nm，台积电、三星都已经做到了，并且技术思路也很清晰，就是掌握Fin FET这个立体晶体管结构技术。

而梁孟松加入中芯国际，正好为中芯国际和中国半导体产业解决了Fin FET技术这个难题。

如果没有梁孟松，那么中国大陆地区的本土芯片技术不一定会永远停在28nm，但是从28nm到14nm，再到如今等效7nm的技术平台，大概率会被拖得时间很长。一旦我们的研发技术时间被拉长，而竞争对手的技术发展速度加快，我们跟国际水平的差距只会越来越大。

在完成14nm制程技术之后，梁孟松又带队启动了7nm、N+1、N+2等工艺平台的研发，寻求更先进的技术突破。

梁孟松对于中国半导体产业的重要性，不只是在于技术突破，而是在于他培训出了一批懂技术的工程师团队。

技术和设备都是人搞出来的，未来的科技竞争也都是以人才竞争为主。梁孟松不但为中国芯片产业带来了前沿的制造技术，还用自己的经验培养了一批懂技术的工程师团队。